长期从事氮化物半导体材料生长研究，系统研究了氮化物半导体的金属有机物气相外延生长(MOCVD)、分子束外延生长(MBE)，发现了晶体极性对氮化铟的特殊影响规律，是国际上最早发现氮化铟窄带隙的研究者之一。近十年从生长设备的自主研发开始，实现了低位错密度氮化镓单晶材料的生长，开发出2～4英寸GaN单晶衬底的完整制备工艺并推向了产业应用。

主持基金委重点项目、基金委重大仪器项目、科技部重点研发计划、发改委战略性新材料项目等10余项，曾荣获2010年“求是杰出青年奖”、2011年苏州市市长奖、2012年全国产学研合作创新成果奖，发表SCI论文100余篇，申请专利50余项，国际专利3项，国际会议特邀报告20余次。

国家杰出青年基金获得者、国家千人计划特聘专家；曾任十二五新材料领域“863”专家组专家，现任十三五科技部战略性新型电子材料专家组专家、第三代半导体专家组副组长，国家重点新材料及应用重大项目编写组专家；中国电子学会高级会员、电子材料专业委员会副主任委员，中国光学学会会员、光学材料专业委员会委员。